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布鲁克Bruker原子力显微镜Dimension Edge

布鲁克Bruker原子力显微镜Dimension Edge

价格面议
产品简介:Bruker原子力显微镜-- Dimeion Edge Bruker公司的AFM具有多项zhuan li技术,以其**的性能广泛应用于科研和工业界各领域 Dimeion Edge原子力显微镜采用了布鲁克的一些**技术,达到了同类产品的zui高水平,为纳米尺度的科学研究提供了**、高性价比的强*具。 应用: 应用于科研和工业界各领域,涵盖了聚合物材料表征,集成光路测量,材料力学性能表征,MEMS制造,金属/合金/金属蒸镀的性质研究,液晶材料性能表征,分子器件,生物传感器,分子自组装结构,光盘存储,薄膜性能表征等领域的监测等各类科研和生产工作。 原理: 将一个对微弱力*敏感的微悬臂一端固定,另一端有一微小的针jian,针jian与样品表面轻轻接触,由于针jianjian端原子与样品表面原子间存在*微弱的排斥力,通过在扫描时控制这种力的恒定,带有针jian的微悬臂将对应于针jian与样品表面原子间作用力的等位面而在垂直于样品的表面方向起伏运动。利用光学检测法或隧道电流检测法,可测得微悬臂对应于扫描各点的位置变化,从而可以获得样品表面形貌的信息。 原子力显微镜的工作模式是以针jian与样品之间的作用力的形式来分类的。主要有以下3种操作模式:接触模式(contact mode) ,非接触模式( non - contact mode) 和敲击模式( tapping mode)。 特征: ?低漂移和低噪音水平 ?闭环设计--zhuan li的传感器设计使Edge的闭环扫描的噪音水平达到了开环扫描的水平 ?开放设计的样品台适用于各种实验和不同尺寸的样品 ?集成化的样品台既可以进行直观的移动也具有很强的可编程功能控制 ?集成可视反馈和预先配置的参数设定,使初学者也可以简单连续地得到级的数据 部分选择项: 参数: X-Y扫描范围: 90μm x 90μm(标准), 85μm (zui小) Z扫描范围: 10um(标准成像与压力模式),9.5um(zui小)...
上海银雀电子科技发展有限公司
2024-04-30
EVG自动晶圆键合系统

EVG自动晶圆键合系统

价格面议
产品简介:EVG?540 Automated Wafer Bonding System EVG?540 自动晶圆键合系统 全自动晶圆键合系统,适用于较大300 mm的基板 EVG540自动化晶圆键合系统是一种自动化的单腔室生产键合机,设计用于中试线生产以及用于晶圆级封装,3D互连和MEMS应用的大批量生产的研发。 EVG540基于模块化设计,为我们未来的晶圆键合工艺从研发到大规模生产的全集成生产键合系统过渡提供了可靠的解决方案。 特征 单室粘合机,较大基板尺寸为300 mm 与SmartView?和MBA300兼容 自动处理多达四个粘合卡盘 符合高安全标准 技术数据 较大加热器尺寸:300毫米; 装载室:2; 轴机器人 较高 键合室:2; EVG?560 Automated Wafer Bonding System EVG?560 自动晶圆键合系统 全自动晶圆键合系统,用于大批量生产 EVG560自动化晶圆键合系统较多可容纳四个键合室,并具有各种键合室配置选项,适用于所有键合工艺和较大300 mm的晶圆。 EVG560键合机基于相同的键合室设计,并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能,可提供高产量的生产键合。 机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。 特征 全自动处理,可自动装卸粘合卡盘 多达四个键合室,用于各种键合工艺 与包括SmartView的EVG机械和光学对准器兼容 同时在*部和底部**加热和冷却 自动加载和卸载粘合室和冷却站 远程在线诊断 技术数据 较大加热器尺寸:150、200、300毫米 装载室5 轴机器人...
上海银雀电子科技发展有限公司
2024-04-29
EVG自动化的高真空晶圆键合系统

EVG自动化的高真空晶圆键合系统

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产品简介:ComBond?Automated High-Vacuum Wafer Bonding System ComBond?自动化的高真空晶圆键合系统 高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键 EVG ComBond高真空晶圆键合平台标志着EVG*特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑,可满足市场对*复杂的集成工艺的需求。 EVG ComBond支持的应用领域包括**的工程衬底,堆叠的太阳能电池和功率器件到**MEMS封装,**逻辑和“追赶CMOS”器件。 EVG ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台,可以针对研发和高通量,大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制。 EVG ComBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数(CTE)的异质材料的粘合,并通过其*特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成。 EVG ComBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温粘合,这种金属可以在周围环境中**重新氧化。对于所有材料组合,都可以实现无空隙和无颗粒的粘结界面以及出色的粘结强度。 特征 高真空,对齐,共价键合 在高真空环境(<5·10-8 mbar)中进行处理 原位亚微米面对面对准精度 高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除 优异的表面性能 导电结合 室温过程 多种材料组合,包括金属(铝) 无应力粘结界面 高粘结强度 用于HVM和R&D的模块化系统 多达六个模块的灵活配置 基板尺寸较大为200毫米 自动化 技术数据 真空度:处理:<7E-8 mbar;处理:<5E-8毫巴 集群配置 处理模块:较小 3,较大 6 加载:手动,卡带,EFEM 可选的过程模块: 键合模块 ComBond?激活模块(CAM) 烘烤模块 真空对准模块(VAM) 晶圆直径:高达200毫米; GEMINI? Automated Production Wafer Bonding System GEMINI?自动化生产晶圆键合系统 集成的模块化大批量生产系统,用于对准晶圆键合 GEMINI自动化生产晶圆键合系统可实现较高水平的自动化和过程集成。批量生产的晶圆对晶圆对准和较大200毫米(300毫米)的晶圆键合工艺都在一个全自动平台上执行。器件制造商受益于产量增加,集成度高以及阳极,硅熔融,热压和共晶键合等多种键合工艺方法。 特征 全自动集成平台,用于晶圆对晶圆对准和晶圆键合 底部,IR或SmartView对齐的配置选项 多个粘接室 晶圆处理系统与键卡盘处理系统分开 带有交换模块的模块化设计 结合了EVG精密对准仪和EVG?500系列系统的所有优势 与独立系统相比,占用空间较小 可选的过程模块: LowTemp?等离子活化 晶圆清洗 外套模块 紫外线粘合模块 烘烤/冷却模块 对齐验证模块 技术数据 较大加热器尺寸:150、200、300毫米 装载室5 轴机器人 较高 绑定模块:4; 较高 预处理模块 200毫米:4...
上海银雀电子科技发展有限公司
2024-04-28
EVG晶圆键合系统

EVG晶圆键合系统

价格面议
产品简介:EVG?520 IS Wafer Bonding System EVG?520IS晶圆键合系统 单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产 EVG520 IS单腔单元可半自动操作较大200 mm的晶圆,适用于小批量生产应用。 EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术**进行了重新设计,具有EV Group专有的对称**加热和冷却卡盘设计。 诸如独立的*侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。 特征 全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站 兼容EVG机械和光学对准器 单室或双室自动化系统 全自动的邦定工艺执行和邦定盖移动 集成式冷却站可实现高产量 选项: 高真空能力(1E-6毫巴) 可编程质量流量控制器 集成冷却 技术数据: 较大接触力:10、20、60、100 kN; 加热器尺寸150毫米200毫米 较小基板尺寸单芯片100毫米 真空:标准:1E-5 mbar; 可选:1E-6 mbar 较高 温度(°C):标准:550; 可选:650 单芯片加工:是; 夹盘系统/对准系统 150毫米加热器:EVG?610,EVG?620,EVG?6200 200毫米加热器:EVG?6200,SmartView?NT 主动水冷 *部和底部 阳极键合电源:较高 电压:2 kV; 较高 电流:50 mA 装载室:较高 键合室:2; EVG?540 Automated Wafer Bonding System EVG?540 自动晶圆键合系统 全自动晶圆键合系统,适用于较大300 mm的基板 EVG540自动化晶圆键合系统是一种自动化的单腔室生产键合机,设计用于中试线生产以及用于晶圆级封装,3D互连和MEMS应用的大批量生产的研发。 EVG540基于模块化设计,为我们未来的晶圆键合工艺从研发到大规模生产的全集成生产键合系统过渡提供了可靠的解决方案。 特征 单室粘合机,较大基板尺寸为300 mm 与SmartView?和MBA300兼容 自动处理多达四个粘合卡盘 符合高安全标准 技术数据 较大加热器尺寸:300毫米; 装载室:2; 轴机器人 较高 键合室:2; EVG?560 Automated Wafer Bonding System EVG?560 自动晶圆键合系统 全自动晶圆键合系统,用于大批量生产 EVG560自动化晶圆键合系统较多可容纳四个键合室,并具有各种键合室配置选项,适用于所有键合工艺和较大300 mm的晶圆。 EVG560键合机基于相同的键合室设计,并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能,可提供高产量的生产键合。 机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。 特征 全自动处理,可自动装卸粘合卡盘 多达四个键合室,用于各种键合工艺 与包括SmartView的EVG机械和光学对准器兼容 同时在*部和底部**加热和冷却 自动加载和卸载粘合室和冷却站 远程在线诊断 技术数据 较大加热器尺寸:150、200、300毫米 装载室5 轴机器人...
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2024-04-27
EVG自动化临时键合系统

EVG自动化临时键合系统

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产品简介:EVG?850 TB Automated Temporary Bonding System EVG?850TB 自动化临时键合系统 全自动将临时晶圆晶圆粘合到刚性载体上 技术数据 全自动的临时粘合系统可在一个自动化工具中实现整个临时粘合过程-从临时粘合剂的施加,烘焙,将设备晶圆与载体晶圆的对准和粘合开始。与所有EVG的全自动工具一样,设备布局是模块化的,这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。 由于EVG具有开放式平台,因此可以使用不同类型的临时粘合粘合剂,例如旋涂热塑性塑料,热固性材料或胶带。 特征 开放式胶粘剂平台 各种载体(硅,玻璃,蓝宝石等) 适用于不同基板尺寸的桥接工具功能 提供多种装载端口选项和组合 配方控制系统 实时监控和记录所有相关过程参数 集成的SECS / GEM接口 可选的集成在线计量模块,用于自动反馈回路 EVG850 TB技术数据 晶圆直径(基板尺寸):较长300毫米,可能有*大的托架 不同的基材/载体组合 组态 外套模块 带有多个热板的烘烤模块 通过光学或机械对准来对准模块 键合模块 选件 在线计量 身份证阅读 高形貌的晶圆处理 翘曲的晶圆处理 EVG?850 DB Automated Debonding System EVG?850DB 自动解键合系统 全自动脱粘,清洁和卸载薄晶圆 技术数据 在全自动脱胶机中,经过处理的临时粘合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。 支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。 使用所有脱胶方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。 特征 在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄,弯曲和翘曲的晶片 自动清洗去粘晶圆 配方控制系统 实时监控和记录所有相关过程参数 自动化工具中集成的SECS / GEM界面 适用于不同基板尺寸的桥接工具功能 模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量 EVG850 DB技术数据 晶圆直径(基板尺寸)高达300毫米 高达12英寸胶卷相框 组态 脱胶模块 清洁模块 胶卷裱框机 选件 身份证阅读 多种输出格式 高形貌的晶圆处理...
上海银雀电子科技发展有限公司
2024-04-26
EVG键对准系统

EVG键对准系统

价格面议
产品简介:EVG?610 BA Bond Alignment System EVG?610BA 键对准系统 适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统 EVG610键合对准系统设计用于较大200 mm晶片尺寸的晶片间对准。 EV Group的粘结对准系统可通过底侧显微镜提供手动**对准平台。 EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中较苛刻的对准过程。 特征 较适合EVG?501和EVG?510粘合系统 晶圆和基板尺寸较大为150/200 mm 手动**对准台 手动底面显微镜 基于Windows?的用户界面;**的多用户概念(无限数量的用户帐户,各种访问权限,不同的用户界面语言;桌面系统设计,占用空间较小;支持红外对准过程;研发和中试生产线的较佳总拥有成本(TCO); EVG610 BA技术数据 常规系统配置: 桌面 系统机架:可选 隔振:被动 对准方法 背面对齐:±2 μm 3σ ; 透明对准:±1 μm 3σ 红外校准:选件 对准阶段 精密千分尺:手动; 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米; 较高 堆叠高度:10毫米 自动对齐:可选的; 处理系统 标准:2个卡带站 可选:较多5个站 EVG?620 BAAutomated Bond Alignment System EVG?620BA 自动键对准系统 用于晶圆间对准的自动键合对准系统,用于研究和试生产 EVG620键合对准系统以其高度的自动化和可靠性而**,专为较大150 mm晶片尺寸的晶片间对准而设计。 EV Group的键合对准系统具有较高的精度,灵活性和易用性,以及模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。 EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中较苛刻的对准过程。 特征 较适合EVG?501,EVG?510和EVG?520IS粘合系统 支持较大150 mm晶片尺寸的双晶片或三晶片堆叠的键对准 手动或电动对准台 全电动高分辨率底面显微镜 基于Windows?的用户界面 在不同晶圆尺寸和不同键合应用之间**更换工具 选件 自动对齐 红外对准,用于内部基板键对准 NanoAlign?封装可增强处理能力 可与系统机架一起使用 面罩对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架:可选 隔振:被动 对准方法:背面对齐:±2 μm 3σ; 透明对准:±1 μm 3σ 红外校准:选件 对准阶段: 精密千分尺:手动; 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 较高 堆叠高度:10毫米 自动对齐:可选的; 处理系统:标准:3个卡带站; 可选:较多5个站 EVG?6200∞ BA Automated Bond Alignment System EVG?6200∞BA自动键对准系统 用于晶圆间对准的自动化键合对准系统,用于中试和批量生产 EVG粘合对准系统提供了较高的精度,灵活性和易用性,模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。 EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中较苛刻的对准过程。 特征 适用于所有EVG 200 mm粘合系统 支持较大200 mm晶片尺寸的双晶片或三晶片堆叠的键合对准 手动或电动对中平台,带有自动对中选项 全电动高分辨率底面显微镜 基于Windows?的用户界面 选件 自动对齐 红外对准,用于内部基板键对准 NanoAlign?封装可增强处理能力 可与系统机架一起使用 面罩对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架:可选 隔振:被动 对准方法:背面对齐:±2 μm 3σ; 透明对准:±1 μm 3σ 红外校准:选件 对准阶段:精密千分尺:手动; 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 较高 堆叠高度:10毫米 自动对齐:可选的; 处理系统 标准:3个卡带站...
上海银雀电子科技发展有限公司
2024-04-25
EVG自动键对准系统

EVG自动键对准系统

价格面议
产品简介:SmartView??NT Automated Bond Alignment System for Univeal Alignment SmartView?NT 自动键对准系统,用于通用对准 全自动键合对准系统,采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准 用于通用对准的SmartView NT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在良好技术的多个晶片堆叠中达到所需的精度至关重要。 SmartView技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用,以在随后的全自动平台上进行*键合。 特征 适用于200毫米和300毫米配置的自动化和集成式EVG粘合系统(EVG560?,GEMINI?) 用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 通用键对准器(面对面,背面,红外和透明对准) *Z轴运动,也*重新聚焦 基于Windows?的用户界面 将键对对准并夹紧,然后再装入键合室 手动或全自动配置(例如与GEMINI?集成) 选件 可与EVG?500系列晶圆键合系统,EVG?300系列清洁系统和EVG?810LT等离子系统结合使用,实现全自动的晶圆对晶圆对准操作以及盒对盒操作。 技术数据 基板/晶圆参数 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 较高 堆叠高度:10毫米 自动对齐:标准;...
上海银雀电子科技发展有限公司
2024-04-24
EVG自动纳米压印光刻系统

EVG自动纳米压印光刻系统

价格面议
产品简介:EVG?6200 NT SmartNIL UV Nanoimprint Lithography System EVG?6200NT SmartNIL UV纳米压印光刻系统 具有紫外线纳米压印功能的通用掩模对准系统,采用EVG专有的SmartNIL?技术,较大可达150 mm 技术数据 这些系统以其自动化的灵活性和可靠性而着称,以较小的占地面积提供了较新的掩模对准技术。操作员友好型软件,较短的掩模和工具更换时间以及的全球服务和支持使它们成为任何研发环境(半自动批量生产)的理想解决方案。该工具支持多种标准光刻工艺,例如真空,软,硬和接近曝光模式,并且可以选择背面对准。此外,该系统还为多功能配置提供了附加功能,包括键对齐和纳米压印光刻。此外,半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。 SmartNIL是行业良好的NIL技术,可对小于40 nm *的*小特征进行图案化,并可以对各种结构尺寸和形状进行图案化。 SmartNIL与多用途软戳技术相结合,可实现**的吞吐量,并具有显着的拥有成本优势,同时保留了可扩展性和易于维护的操作。 EVG的SmartNIL兑现了纳米压印技术的长期前景,纳米压印技术是一种用于大规模生产微米级和纳米级结构的低成本,高产量的替代光刻技术。 *分辨率取决于过程和模板 特征 *侧和底侧对齐能力 **对准台 自动楔形补偿序列 电动和配方控制的曝光间隙 支持较新的UV-LED技术 较小化系统占地面积和设施要求 分步流程指导 远程技术支持 多用户概念(无限数量的用户帐户和配方,可分配的访问权限,不同的用户界面语言) 敏捷处理和转换重组 台式或带防震花岗岩台的单机版 附加功能:键对齐、红外对准、 智能NIL? μ接触印刷 EVG6200NT技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 标准光刻:75至200 mm 柔软的UV-NIL:75至200毫米 SmartNIL?:较大150毫米 解析度≤40 nm(分辨率取决于模板和工艺) 支持流程 柔软的UV-NIL和SmartNIL? 曝光源:汞光源或紫外线LED光源 对准 软NIL:≤±0.5 μm SmartNIL?:≤±3 μm 自动分离 柔紫外线NIL:不支持 SmartNIL?:受支持 工作印章制作 柔软的UV-NIL:外部 SmartNIL?:受支持 EVG?720 Automated SmartNIL??UV Nanoimprint Lithography System EVG?720 自动化SmartNIL?UV纳米压印光刻系统 具有EVG专有的SmartNIL?技术的自动全场UV纳米压印解决方案(较大150毫米) 技术数据 EVG720系统利用EVG的**SmartNIL技术和材料*知识,能够大规模制造微米和纳米级结构。具有SmartNIL技术的EVG720系统能够在大面积上印刷小至40 nm *的纳米结构,具有**的吞吐量,非常适合批量生产下一代微流体和光子器件,例如衍射光学元件( DOEs)。 *分辨率取决于过程和模板 特征 体积验证的压印技术,具有出色的复制保真度 专有的SmartNIL?技术和多次使用的聚合物印模技术 集成式压印,UV固化脱模和工作印模制造 盒带到盒带自动处理以及半自动R&D模式 可选的*部对齐 可选的迷你环境 适用于所有市售压印材料的开放平台 从研发到生产的可扩展性 系统外壳,可实现较佳过程稳定性和可靠性 EVG720技术数据 晶圆直径(基板尺寸)75至150毫米 解析度≤40 nm(分辨率取决于模板和工艺) 支持流程:SmartNIL? 曝光源:大功率LED(i线)> 400 mW /cm2 对准:可选的*部对齐 自动分离:支持的 迷你环境和气候控制:可选的 工作印章制作:支持 EVG?7200 Automated SmartNIL??UV Nanoimprint Lithography S EVG?7200 自动化SmartNIL?UV纳米压印光刻系统 具有EVG专有的SmartNIL?技术的自动全场UV纳米压印解决方案(较大200毫米) 技术数据 EVG7200系统利用EVG的**SmartNIL技术和EVG的材料专长来实现微米级和纳米级结构的批量生产。该系统将SmartNIL的**软印和压印功能带到了*大的基板和*小的几何形状上,批量生产时的分辨率低至40 nm *。这带来了*大的拥有成本(CoO)收益,并实现了纳米压印光刻技术的全部制造潜力。 *分辨率取决于过程和模板 特征 体积验证的压印技术,具有出色的复制保真度 专有的SmartNIL?技术和多次使用的聚合物印模技术 集成式压印,UV固化,脱模和工作印模制作 盒带到盒带自动处理以及半自动R&D模式 可选的*部对齐 可选的迷你环境 适用于所有市售压印材料的开放平台 从研发到生产的可扩展性 系统外壳,可实现较佳过程稳定性和可靠性 技术数据 晶圆直径(基板尺寸)75至200毫米; 解析度≤40 nm(分辨率取决于模板和工艺) 支持流程:SmartNIL? 曝光源:大功率LED(i线)> 400 mW /cm2 对准:可选的*部对齐 自动分离:支持的 迷你环境和气候控制:可选的 工作印章制作:支持的 EVG?7200 LA Large-Area SmartNIL??UV Nanoimprint Lithography System EVG?7200LA 大面积SmartNIL?UV纳米压印光刻系统 大面积**的共形纳米压印光刻 技术数据 EVG7200大面积UV纳米压印系统使用EVG专有且经过量证明的SmartNIL技术,将纳米压印光刻(NIL)缩放为*三代(550 mm x 650 mm)面板尺寸的基板。对于不能减小尺寸的显示器,线栅偏振器,生物技术和光子元件等应用,至关重要的是通过增加图案面积来提高基板利用率。 NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的较经济有效的方法,因为它不受光学系统的限制,并且可以为较小的结构提供较佳的图案保真度。 SmartNIL利用非常强大且可控的加工工艺,提供了低至40 nm *的出色保形压印结果。凭借*特且经过验证的设备功能(包括**的易用性)以及高水平的工艺*知识,EVG通过将纳米压印提升到一个新的水平来满足行业需求。 *分辨率取决于过程和模板 特征 专有的SmartNIL?技术可在大面积区域提供**的共形烙印 经过验证的技术,具有出色的复制保真度和均匀性 多次使用的聚合物工作印模技术可延长母版使用寿命并节省大量成本 强大且**可控的处理 与所有市售的压印材料兼容 EVG7200LA技术数据 晶圆直径(基板尺寸):直径200毫米以下直至Gen3(550 x 650毫米) 解析度:40 nm-10 μm(分辨率取决于模板和工艺) 支持流程:SmartNIL? 曝光源:大功率窄带(> 400 mW /cm2) 对准:可选的光学对准:≤±15 μm 自动分离:支持的 迷你环境和气候控制:可选的...
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2024-04-23
EVG集成光刻光刻系统

EVG集成光刻光刻系统

价格面议
产品简介:集成光刻光刻系统 光刻跟踪系统通过集成的生产系统和结合了掩模对准和曝光以及集成的预处理和后处理功能的高度自动化,完善了EVG光刻产品系列。 HERCULES光刻跟踪系统基于模块化平台,将EVG业已建立的光学掩模对准技术与集成的清洁,抗蚀剂涂层,烘烤和抗蚀剂显影模块相结合。 这使HERCULES平台变成了“一站式服务”,在这里将经过预处理的晶圆装载到工具中,然后返回结构化的经过处理的晶圆。 选择平版印刷跟踪系统 HERCULES?光刻跟踪系统:EVG HERCULES是一个高容量系统平台,将整个光刻工艺流程整合到一个设备中,从而减少了工艺占地面积和操作员支持 HERCULES?Lithography Track System HERCULES? 光刻跟踪系统 HERCULES?是一个高容量平台,将整个光刻工艺流程集成到一个系统中,从而减少了工艺尺寸并减少了操作员的支持。 技术数据 HERCULES基于模块化平台,将EVG成熟的光学掩模对准技术与集成的晶圆清洗,抗蚀剂涂层,烘烤和抗蚀剂显影模块相结合。 HERCULES支持各种晶片尺寸的盒到盒处理。 HERCULES安全地处理厚,弯曲度高,矩形,小直径的晶片甚至设备托盘。精密的*侧和底侧对准以及亚微米至*厚(较大300微米)抗蚀剂的涂层可用于夹层和钝化应用。出色的对准台设计可实现高产量的**对准和曝光结果。 特征 生产平台将EVG**对准和抗蚀剂处理系统的所有优点结合在一起,以较小的占地面积 多功能平台支持各种形状,尺寸,高度翘曲的模具晶片甚至托盘的全自动处理 高达52,000 cP的涂层可制造高度高达300微米的*厚抗蚀剂特征 CovepinTM旋转盖可降低抗蚀剂消耗并优化抗蚀剂涂层的均匀性 OmniSpray?涂层可优化高地形表面??的涂层 NanoSpray?用于涂覆和保护通孔结构 自动面膜处理和存储 光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘珠 使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理 返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统 多用户概念(无限数量的用户帐户和配方,可分配的访问权限,不同的用户界面语言) 技术数据 对齐方式: 上侧对齐:≤±0.5 μm 底侧对齐:≤±1,0 μm 红外校准:≤±2,0 μm /基板材料,具体取决于 **的对齐功能:手动对齐、 自动对齐、 动态对齐、 对准偏移校正 自动交叉校正/手动交叉校正、大间隙对齐 工业自动化功能: 盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理 曝光源:汞光源/紫外线LED光源 曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式 楔形补偿:全自动-SW控制,非接触式 曝光选项:间隔暴露/洪水暴露/扇区暴露 系统控制:操作系统:Windows 文件共享和备份解决方案/无限制配方和参数,多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR;实时远程访问,诊断和故障排除;...
上海银雀电子科技发展有限公司
2024-04-22
EVG热压印系统

EVG热压印系统

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产品简介:热压印系统 EV Group的一系列**热压花系统基于该公司市场良好的晶圆键合技术。 出色的压力和温度控制以及大面积的均匀性可实现**的压印。 热压印是一种经济且灵活的制造技术,对于尺寸低至50 nm的特征,其复制精度非常高。 该系统非常适合将复杂的微结构和纳米结构以及高纵横比的特征压印到各种聚合物基材或旋涂聚合物中。 压模与基板对齐的组合可将热压纹与预处理的基板结构对齐。 EVG?510HE 热压花系统 高度灵活的热压花系统,用于研发和小批量生产。 EVG?520HE 热压花系统 经过通用生产验证的热压花系统可以满足较高要求。 EVG?510 HE Hot Embossing System EVG?510HE 热压印系统 高度灵活的热压花系统,用于研发和小批量生产 技术数据 EVG510 HE半自动热压花系统设计用于对热塑性基材进行**压印。该设备配置有通用压花室以及真空和接触力功能,并管理适用于热压花的全部聚合物。结合高纵横比压印和多种脱压选项,提供了许多用于高质量纳米图案转印的工艺。 特征 用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压花应用 自动化压花工艺 EVG专有的独立对准工艺,用于光学对准的压印和压印 由软件控制的流程执行 闭环冷却水供应选项 ; 外部浮雕和冷却站 技术数据 加热器尺寸150毫米200毫米 较大基板尺寸150毫米200毫米 较小基板尺寸单芯片100毫米 较大接触力:10、20、60 kN 较高温度:标准:350°C;可选:550°C 夹盘系统/对准系统: 150毫米加热器:EVG?610,EVG?620,EVG?6200 200毫米加热器:EVG?6200,MBA300,SmartView?NT 真空:标准:0.1毫巴;可选:0.00001 mbar EVG?520 HE Hot Embossing System EVG?520HE 热压印系统 经通用生产验证的热压花系统,可满足较高要求 技术数据 EVG520 HE半自动热压花系统设计用于对热塑性基材进行**压印。 EVG的这种经过生产验证的系统可以接受直径较大为200 mm的基板,并且与标准的半导体制造技术兼容。热压花系统配置有通用压花腔室以及高真空和高接触力功能,并管理适用于热压花的整个聚合物范围。结合高纵横比压印和多种脱压选项,提供了许多用于高质量图案转印和纳米分辨率的工艺。 特征 用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压花和纳米压印应用 自动化压花工艺 EVG专有的独立对准工艺,用于光学对准的压印和压印 气动压花选项 软件控制的流程执行 技术数据 加热器尺寸150毫米200毫米 较大基板尺寸150毫米200毫米 较小基板尺寸单芯片100毫米 较大接触力10、20、60、100 kN 较高温度:标准:350°C;可选:550°C; 粘合卡盘系统/对准系统:150毫米加热器:EVG?610,EVG?620,EVG?6200 200毫米加热器:EVG?6200,MBA300,SmartView?NT 真空:标准:0.1毫巴; 可选:0.00001 mbar...
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2024-04-21
EVG计量系统

EVG计量系统

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产品简介:计量对于控制,优化并确保半导体制造过程中的较高产量至关重要。 通过实施反馈循环,可以启用过程控制和过程参数校正,从而可以满足*严格的过程要求。 EVG的度量衡解决方案针对光刻和所有类型的粘合应用进行了优化,并使用无损测量方法。 客户可以选择将计量技术集成到全自动过程设备中,也可以选择服务于多个过程步骤的独立计量系统。 EVG?20 红外线检查系统 **检查键合晶圆叠层的空隙。 EVG?40NT 自动化测量系统 适用于键合和光刻的多功能,**度量衡。 ? EVG?50 自动化计量系统 适用于键合叠层和单晶片的高通量,高分辨率度量衡。 EVG?20 IR Ipection System EVG?20 红外线检查系统 **检查键合晶圆叠层的空隙 特征 EVG20提供了一种**检查方法,尤其是对于熔融粘合晶圆。 整个晶片的实时图像通过IR传输支持半径小于0.5 mm的空隙检测。 红外检测系统非常适合作为单独的EVG20工具或作为EVG集成粘合系统中的工作站的熔合工艺。 特征 实时成像 一次性检查整个晶圆 可选的粘结销,用于实时可视化直接粘结 Maszara测试兼容 空隙尺寸检测小至0.5 mm半径 EVG?40 NT Automated Measurement System EVG?40NT 自动化测量系统 适用于键合和光刻的多功能,**计量 特征 EVG40 NT(独立工具)和AVM(集成了HVM的模块)能够测量与光刻相关的参数,例如临界尺寸以及键合对准精度。由于系统具有很高的测量精度,因此可以验证是否符合严格的工艺规范并立即优化集成的工艺参数。 凭借其多种测量方法,EVG40 NT可以同时适应多种制造工艺,例如纳米压印光刻或晶圆间键合。 作为一个应用实例,EVG40 NT完善了EVG的产品范围,以实现**对准晶圆键合,作为记录工具,可以可靠地验证EVG的GEMINI FB自动熔合的100 nm键合覆盖精度。 特征 光刻和键合计量的多功能测量选项 粘接和光刻应用的对准验证 上下显微镜用于多种测量方法 临界尺寸(CD)测量 芯片对芯片对准验证 多层厚度测量 垂直和水平方向的测量精度高 专门的校准程序可实现高通量 基于PC的测量和模式识别软件可实现较高可靠性 EVG?50 Automated Metrology System EVG?50 自动化计量系统 适用于键合叠层和单晶片的高通量,高分辨率计量 特征 EVG50(全自动独立工具)和在线计量模块(集成在EVG的大批量生产系统中)可在各种应用中采用不同的测量方法,从而实现高速,**的测量。 该工具的应用范围包括用于确定中间层的总厚度变化(TTV)的多层厚度测量,键合界面的检查以及抗蚀剂厚度的测量,并满足了良率驱动的半导体行业的较苛刻要求。 特征 具有业界良好的吞吐量和分辨率的多层计量 多层厚度映射 绑定界面检查 低接触边缘处理 无颗粒 全区域可访问的正面和背面 自校准可提高系统重现性并延长生产时间 多种输出格式 100%生产检验...
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2024-04-20
KEKO实验室型流延机

KEKO实验室型流延机

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产品简介:KEKO小型流延机CAM-C系列 CAM-C系列流延机 KEKO公司CAM-C系列流延机设计面向较少资金投入的客户而设计的,提供了*高的自动化水平、*高的精度和紧凑型设计。自动连续浆料开槽模具系统使浆料液位高度误差仅±10um。全自动流延高度控制,可自动进行零位校准。过程可不间断的在触摸屏上进行显示,预设菜单可用于**启动新的流延操作。 一系列设备选件使得设备可应对不同的流延需求,包括但不**于: 瓷带边缘切割系统 双排风系统 2米长烘干区 针对工艺监控的数据链 激光厚度测量系统 浆料过滤桶 设备特征: 生瓷厚度5至150um 适用于溶剂性或水基浆料 自动跟踪载带位置 紧凑结构对占地面积极小 **的厚度精度和一致性 浆料缓冲后再进给到流延刀 **的浆用量控制和微米级厚度控制 **的**流延厚度控制 设备技术参数: 流延速度:0.1~6米/分钟可调节 载带宽度:250mm或350mm,取决于设备型号 流延宽度:较大200mm(8寸)或300mm(12寸) 干燥后厚度:5um~150um 厚度精度:±1um 载带膜厚:20至75um 烘干系统:5组独立的底部加热盘 *部可调节的较高120℃过滤热空气烘干 浆料供给:自动空气或氮气压出 浆料桶容量:25L CAM-L系列 CAM-L系列流延机 KEKO实验室型流延机 CAM-L型流延机为KEKO公司面向实验室研发应用的流延机。设计用于在实验室或小批量产品中制造均匀的瓷带。瓷带流延至PET薄膜(载带)上,薄膜缠绕在可调节扭矩的卷轴上,以调节载带的张弛度。浆料通过流延机喷口流出成形。流延间隙可通过千分尺螺旋钮进行调节,缝隙通过两个千分尺进行测量(单位为微米或mil)。**钨钢刮刀和大理石底板结构*了流延厚度精度可小至5um。浆料自容器中压出至PET载带上,流出速度可大幅调节。较长到4米长的烘干系统带有工厂排风系统且由玻璃板覆盖。空气流量可调节。 作为选件,设备支持外部热空气输入或底部加热以提高*高的烘干效率。干燥后的陶瓷将卷在卷轴上。 其他选件: 排风流量测量传感器 流延速度读出系统 设备技术参数: 流延速度:0.2~2m/min可调 载带宽度:较大250mm 流延宽度:较大200mm,取决于流延盒的宽度 刮刀间距:1~5mm 烘干区长度:2至4米,以1米为单位递增 流延厚度:20~120um 电源供给:取决于设备配置和客户需求...
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2024-04-19
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版

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产品简介:PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版 (PICOSUN? ALD R-200 Standard) 名称:原子层沉积系统 产地:芬兰 Picosun简介 Picosun是一家全球公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN?ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提**。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商,小型的**型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN?研发工具具有*特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于**。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引ling行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。 Picosun*特的突破性ALD*知识可追溯到ALD技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ALD方法,并在工业上获得了。在高质量ALD系统设计方面拥有丰富的经验。高度敬业的Picosun人员拥有**的ALD经验,并且为ALD的许多做出了贡献。 PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现*佳的均匀性,包括较具挑战性的通孔的、*高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的***的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度较小的薄膜层。在较基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的,分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN? R系列*特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室**设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破**的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。 PICOSUN?R-200标准 PICOSUN?R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发,例如IC组件,MEMS器件,显示器,LED,激光和3D对象,例如透镜,光学器件,珠宝,硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场**者。它已成为**驱动的公司和研究机构的可以选择工具。 敏捷的设计实现了较高质量的ALD薄膜沉积以及系统的较终灵活性,可以满足未来的需求和应用。的热壁设计具有独立的入口和仪器,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow?技术,即使在较具挑战性的通孔,*高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN?R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态,气态和固态化学物质前体源。与手套箱,粉末室和各种原位分析系统集成,无论您现在的研究领域是什么,或以后可能成为什么样的研究领域,都可以进行,灵活的研究,并获得良好的结果。 技术指标 衬底尺寸和类型 50 – 200 mm /单片 较大可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺) 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 3D 复杂表面衬底(使用Showerhead喷洒淋浴模式效果*佳) 粉末与颗粒(配备扩散增强器) 多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品 工艺温度 50 – 500 °C, 可选*高温度(真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度**60 °C) 基片传送选件 气动升降(手动装载) 预真空室安装磁力操作机械手(Load lock ) 前驱体 液态、固态、气态、臭氧源 4根独立源管线,较多加载6个前驱体源 对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气导入前驱体瓶内引出 重量 350kg 尺寸( W x H x D)) 取决于选件 较小146 cm x 146 cm x 84 cm 较大189 cm x 206 cm x 111 cm 选件 PICOFLOW?扩散增强器,集成椭偏仪,QCM, RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集 成(用于惰性气体下装载)。 验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 应用领域 客户使用PICOSUN? R系列ALD 设备在150mm和200mm(6”和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。 材料 非均匀性(1σ) AI2O3 (batch) 0.13% SiO2 (batch) 0.77% TiO2 0.28% HfO2 0.47% ZnO 0.94% Ta2O5 1.00% TiN 1.10% CeO2 1.52% Pt 3.41%...
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2024-04-18
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200**版

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200**版

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产品简介:PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200**版 (PICOSUN? ALD R-200 Advanced) 名称:原子层沉积系统 产地:芬兰 Picosun简介 Picosun是一家全球公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN?ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提**。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商,小型的**型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN?研发工具具有*特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于**。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引ling行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。 PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现*佳的均匀性,包括较具挑战性的通孔的、*高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的***的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度较小的薄膜层。在较基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的,分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN? R系列*特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室**设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破**的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。 PICOSUN?R-200** PICOSUN?R-200 Advanced ALD系统适用于数十种应用的研发,例如IC组件,MEMS器件,显示器,LED,激光和3D对象,例如透镜,光学器件,珠宝,硬币和医疗植入物。 群集工具,Picoflow?扩散增强剂,卷对卷室,RGA,UHV兼容性,N2发生器,气体洗涤器,定制设计,用于惰性装载的手套箱集成PICOSUN?R-200**ALD系统是**ALD研究工具的全球市场**者,已有数百个客户安装。它已成为**驱动的公司和研究机构的可以选择工具。 敏捷的设计实现了较高质量的ALD薄膜沉积以及较终的系统灵活性,可以满足未来的需求和应用。的热壁设计具有独立的入口和仪器,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow?技术,即使在较具挑战性的通孔,*高长宽比和纳米颗粒样品上也能实现出色的均匀性。 PICOSUN?R-200 Advanced系统配备了功能强大且易于更换的液态,气态和固态化学品前体源。且获得的远程等离子选件可实现金属沉积,而没有短路或等离子损坏的风险。与手套箱,UHV系统,手动和自动装载机,集群工具,粉末仓,卷对卷仓以及各种原位分析系统集成在一起,无论您现在或将来的研究领域如何,都可以,灵活地进行研究,并获得良好的结果稍后。 (*)等离子发生器技术特点: 远程血浆源安装到装载室并与反应室连 出色性能的适用于不同化学性质的蓝宝石涂药器 商用微波等离子体发生器,具有300 – 3000 W可调功率,2.45 GHz频率 保护气体在中间空间中流动(无等离子体物质的反向扩散) 在相同的沉积过程中,等离子体和热ALD循环的可能性,而*对系统进行硬件更改 技术指标 衬底尺寸和类型 50 – 200 mm /单片 较大可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺) 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 3D 复杂表面衬底(使用Showerhead喷洒淋浴模式效果*佳) 粉末与颗粒(配备扩散增强器) 多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品 工艺温度 50 – 500 °C, 可选*高温度(真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度**60 °C) 基片传送选件 气动升降(手动装载) 预真空室安装磁力操作机械手(Load lock ) 前驱体 液态、固态、气态、臭氧源 4根独立源管线,较多加载6个前驱体源 对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气导入前驱体瓶内引出 重量 350kg 尺寸( W x H x D)) 取决于选件 较小146 cm x 146 cm x 84 cm 较大189 cm x 206 cm x 111 cm 选件 PICOFLOW?扩散增强器,集成椭偏仪,QCM, RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集 成(用于惰性气体下装载)。 验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 应用领域 客户使用PICOSUN? R系列ALD 设备在150mm和200mm(6”和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。 材料 非均匀性(1σ) AI2O3 (batch) 0.13% SiO2 (batch) 0.77% TiO2 0.28% HfO2 0.47% ZnO 0.94% Ta2O5 1.00% TiN 1.10% CeO2 1.52% Pt 3.41%...
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2024-04-17
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200 Pro

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200 Pro

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产品简介:PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200 Pro (PICOSUN? ALD R-200 S Pro) 原子层沉积系统( ALD P-200) 名称:原子层沉积系统 产地:芬兰 Picosun简介 Picosun是一家全球公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN?ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提**。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商,小型的**型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN?研发工具具有*特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于**。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引ling行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。 PICOSUN? P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了较大的产出效率,并且具有的工艺纯度和薄膜均匀性,甚至能满足具有较严格要求的半导体行业标准。PICOSUN? P系列ALD紧凑的设计节约了昂贵的场地成本,系统的易维护性减少了停工期。对于系统的维护、工艺故障的排除,我们为客户提供*的售后服务Picosupport?。根据用户的需求,确保每时每(24/7/365)**提供全面的解决方案。在购买之前,我们提供做样服务,确保系统具有较好的性能,满足您的需求。 技术指标 衬底尺寸和类型 50 – 200 mm /单片 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 150 mm x 150 mm 显示面板 工艺温度 50 - 500 °C , 可选*高温度 基片传送选件 气动升降(手动装载) 半自动装载,用PICOPLATFORM?200集群系统实现 25片晶圆盒对盒式全自动装载(cassette-to-cassette),用PICOPLATFORM?200集群系统实现 标准 SEMI S2 认证(认证中) 前驱体 液态, 固态, 气态, 臭氧源, 等离子体(较多4路气体): 前驱源余量传感器,并提供清洗和装源服务 6根独立源管线,较多加载12个前驱体源(加上Plasma管路,共7根独立源管线) 重量 790 kg 尺寸 (W x H x D) 160 cm x 80 cm x 240 cm 可选件 集群工具, PICOFLOW? 扩散增强器, 集成椭偏仪, QCM, RGA, N2发生器,尾气处理器,定制设计,与 工厂软件连接服务。 验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺, 其他工艺可具体协商:其他工艺、应用具体验收标准如: --不均匀性 --颗粒物含量 --重金属污染 --电学性能 应用领域...
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2024-04-16
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300**版

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300**版

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产品简介:PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300**版 (PICOSUN? ALD P-300 Advanced) 名称:原子层沉积系统 产地:芬兰 Picosun简介 Picosun是一家全球公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN?ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提**。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商,小型的**型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN?研发工具具有*特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于**。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引ling行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。 PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现*佳的均匀性,包括较具挑战性的通孔的、*高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的***的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度较小的薄膜层。在较基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的,分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN? R系列*特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室**设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破**的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。 PICOSUN?R-300** Picosun? 300mm生产线上的产品是300mm以下晶圆的自动化、高产量的工业ALD加工设备。包括PICOSUN? P系列Pro和Advanced ALD设备。该工具可以独立工作,也可以集成到PICOPLATFORM?300真空集群系统以达到*高的产量和自动化水平。为了节约昂贵的设施空间,所有PICOSUN?的ALD系统有着紧凑、的设计。集成的*机柜,装载着前驱体和电子元件,*了**简便的维护和较短的停机时间。PICOSUN? P系列工具*了较大产能以及较节约成本的情况下得到良好的ALD工艺质量,并履行严格的现代半导体产业的生产力和安全要求。 工艺咨询和开发,产能提升,维护保养流程和系统及工艺的故障排除,我们客户化定制的PICOSUPPORT?综合解决方案24小时**响应,随时待命。在购买之前,我们的演示服务*了设备可以**满足客户较苛刻的产线需求。 技术指标 衬底尺寸和类型 156 mm x 156 mm硅片50~100片/批次(双面/背对背) 高达300 mm x 300 mm玻璃基板10~20片/批次(双面/背对背) 大批量的3D产品(例如:钟表部件,珠宝,硬币,医疗植入部件,机械部件等) 粉末与颗粒 Roll-to-roll, 衬底较大宽 300 mm 多孔,通孔,与高深宽比(HAR)样品 工艺温度 50-500℃ 基片传送选件 气动升降(手动装载) 半自动装载,用线性装载器实现 全自动转载,用工业机器人实现 前驱体 液态、固态、气态、臭氧源 前驱源余量传感器,并提供清洗和装源服务 4根独立源管线,较多加载6个前驱体源 重量 400 + 300 kg 尺寸 (W x H x D) 149 cm x 191 cm x 111 cm 选件 PICOFLOW? 扩散增强器,N2发生器,尾气处理器,定制设计,与工厂软件连接服务。 验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 应用领域 客户使用PICOSUN? R系列ALD 设备在150mm和200mm(6“和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。 材料 非均匀性(1σ) AI2O3 (batch) 0.13% SiO2 (batch) 0.77% TiO2 0.28% HfO2 0.47% ZnO 0.94% Ta2O5 1.00% TiN 1.10%...
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2024-04-15
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300 Pro

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300 Pro

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产品简介:PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300 Pro (PICOSUN? ALD ALD P-300 Pro) 名称:原子层沉积系统 产地:芬兰 Picosun简介 Picosun是一家全球公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN?ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提**。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商,小型的**型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN?研发工具具有*特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于**。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引ling行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。 PICOSUN? ALD P-300 Pro:Picosun? 300mm生产线上的产品是300mm以下晶圆的自动化、高产量的工业ALD加工设备。包括PICOSUN? P系列Pro和Advanced ALD设备。该工具可以独立工作,也可以集成到PICOPLATFORM?300真空集群系统以达到*高的产量和自动化水平。为了节约昂贵的设施空间,所有PICOSUN?的ALD系统有着紧凑、的设计。集成的*机柜,装载着前驱体和电子元件,*了**简便的维护和较短的停机时间。PICOSUN? P系列工具*了较大产能以及较节约成本的情况下得到良好的ALD工艺质量,并履行严格的现代半导体产业的生产力和安全要求。 工艺咨询和开发,产能提升,维护保养流程和系统及工艺的故障排除,我们客户化定制的PICOSUPPORT?综合解决方案24小时**响应,随时待命。在购买之前,我们的演示服务*了设备可以**满足客户较苛刻的产线需求。 技术指标 衬底尺寸和类型 较大300mm晶圆/单片 工艺温度 50 - 500 °C 基片传送选件 半自动装载,用单片Load lock与磁力操纵杆实现 25片晶圆盒对盒式全自动装载(cassette-to-cassette),用PICOPLATFORM? 300集群系统实现 标准 SEMI S2认证 前驱体 液态,固态,气态,臭氧源 等离子体(仅供200mm晶圆使用,较多4路气体) 前驱源余量传感器,并提供清洗和装源服务 6条独立源管线,较多加载8个前驱体源(较多12个前驱体源,加上plasma管路共7根独立源管线) 重量 820 kg 尺寸(W x H x D) 160 cm x 80 cm x 240 cm 选件 集群工具,PICOFLOW?扩散增强,N2发生器,尾气处理,定制设计,与工厂软件连接服务。 验收标准 标准设备验收标准为Al2O3工艺, 其他工艺可具体协商:其他工艺、应用具体验收标准如: --不均匀性 --颗粒物含量 --重金属污染 --电学性能 应用领域 PICOSUN? 300 mm 生产线应用案例 集成电路组件 微机电系统 氧化物间隔层 扩散阻挡层 间聚介质 **涂层 高K栅介质 电荷耗散层 隧穿氧化物薄膜 导热层 氧化物阻挡层 导电种子层 钝化层 刻蚀阻挡层 间隙填充层 电绝缘层 覆盖层 防摩擦层 铜阻挡层和阻挡层 防粘着层 粘附层 光学薄膜 扩散阻挡层 生物兼容层 点* 密封层 金属化 纳米孔封堵层 其他 显示 晶体管 钝化 电容层 透明导电薄膜 存储器 绝缘层 读写磁头...
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2024-04-14
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-1000 Pro

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-1000 Pro

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产品简介:PICOSUN原子层沉积系统ALD R-1000 Pro (PICOSUN? ALD ALD P-1000 Pro) 名称:原子层沉积系统 产地:芬兰 Picosun简介 Picosun是一家全球公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN?ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提**。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商,小型的**型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN?研发工具具有*特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于**。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引ling行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。 型号:PICOSUN? ALD ALD P-1000 Pro PICOSUN? P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了较大的产出效率,并且具有的工艺纯度和薄膜均匀性,甚至能满足具有较严格要求的半导体行业标准。PICOSUN? P系列ALD紧凑的设计节约了昂贵的场地成本,系统的易维护性减少了停工期。ALD技术可以覆盖各种形状、各种表面的样品,可以覆盖较细小的地方,较难到达的地方。具有高度的保形性、均一性及**无针孔。这使得ALD可以应用于各种行业里,实现各种表面的保护。ALD薄膜可以附着在各种表面上,例如金属,玻璃,塑料,乃至纤维及粉末。作为气相、低温的沉积技术,ALD薄膜可以生长在非常敏感的表面上,例如聚合物薄膜。 技术指标 衬底尺寸和类型 156 mm x 156 mm硅片800~1000片/批次(双面/背对背) 高达400 mm x 600 mm玻璃基板30~50片/批次(双面/背对背) 大批量的3D产品(例如:钟表部件,珠宝,硬币,医疗植入部件,机械部件等) 多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品 工艺温度 50 - 500 °C 基片传送选件 气动升降(手动装载,带叉车forklift cart) 全自动转载,用工业机器人实现 前驱体 液态、固态、气态、臭氧源 前驱源余量传感器,并提供清洗和装源服务 8根独立源管线,较多加载12个前驱体源 重量 2000 kg 尺寸(W x H x D) 230 cm x 270 cm x 125 cm 选件 PICOFLOW? 扩散增强器,N2发生器,尾气处理器,定制设计,与工厂软件连接服务。 应用领域 Picosun的ALD技术应用在钟表部件、珠宝、硬币上进行防着色,防腐蚀的装饰涂层。在生物植入医疗部件上的生物兼容、生物活性涂层。致密、惰性、密封、弹性、透明的ALD薄膜技术挑战传统的膜生长方式。在PCB防腐蚀保护、防摩损等领域,ALD层大大提升了部件的质量、可靠性及寿命。 ALD工业领域及应用 产品 ALD应用 医疗植入(牙科,连接技术) 植物活性层, 用来提高骨融 手术固定器 合,生物兼容的包覆层 植入医疗器件 生物兼容包覆层 (心脏起搏器,耳蜗植入) 收藏性硬币 防着色涂层 钟表部件 防着色层或装饰层 珠宝 防着色层或装饰层 PCB 防锡晶须及腐蚀...
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2024-04-13
Picosun等离子体增强原子层沉积系统

Picosun等离子体增强原子层沉积系统

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产品简介:Picosun等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统 PICOPLASMA Picosun公司新型PICOPLASMA?等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统是基于**的自由离子远程等离子源设计的,其性能已经得到内的诸多*级研究团队的肯定。多种激发源(如氧、氢和氮等)配置能够较大化拓展ALD的工艺范围,尤其是低温沉积金属和金属氮化物薄膜。由于远程等离子源所产生的等离子体束流中离子的含量低,因此即使是较敏感的衬底,也不会出现等离子损伤,而等离子束流中含有高浓度的活性粒子,*很*的生长速度。 PICOPLASMA?源系统既可以安装在现有的PICOSUNTM ALD反应器上,也可以将整个PEALD组装为一个整体。它具有占地面积小、易维护和低运行成本等优点。通过预真空系统,PICOPLASMA?集成在PICOPLATFORM?集群系统中后可实现自动化操作。 PICOPLASMA? 远程等离子体系统技术参数 ·?对衬底无等离子损伤 ·?导电材料不会产生短路现象 ·?无前驱源背扩散→ 等离子发生器无薄膜形成 ·?等离子体点火期间无压力振荡→ 无颗粒形成 ·?等离子体源与衬底之间无闸门阀→ 无颗粒形成 ·?等离子体源材料无刻蚀→ 金属和氧化物薄膜低杂质 ·?简单和**服务并通过维护舱口改变腔室 ·?无硬件修改使热ALD和等离子ALD工艺在同一沉积腔室中进行成为可能 应用领域 部分PEALD材料的薄膜均匀性的例子,采用PICOSUN?设备沉积。晶圆尺寸150/200 mm(6/8”) 材料 非均匀性(1σ) AI2O3 0.50% AlN 0.62% In2O3 0.87% SiO2 (low-T) 1.10% SiN (low-T) 1.58% TiN 2.16% ZnO 2.64% TiAlN 2.87%...
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2024-04-12
布鲁克纳米力学和纳米摩擦学测试TI980

布鲁克纳米力学和纳米摩擦学测试TI980

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产品简介:纳米力学和纳米摩擦学测试的一大飞跃 Bruker’s Hysitron TI 980 TriboIndenter 海思创TI 980 TriboIndenter纳米压痕仪是布鲁克较**的纳米力学测试设备,同时具有较高的性能、灵活性、可信度、实用性和速度。TI 980纳米压痕仪是布鲁克着名的海思创纳米压痕设备的新一代产品。它建立在几十年的技术**上,提供了纳米力学和纳米摩擦学表征领域全新水平的非凡性能、能力和功能。 Contact Us? ?Download Brochure 让您时刻保持在材料探索和发展* 采用布鲁克的Performech? II**控制模块,TI 980纳米压痕仪在控制能力、测试通量、测试灵活性、适用性、灵敏度、可信度和系统模块化等方面有了显着的进步。TI 980包含以下多种强有力的功能:纳米压痕与微米压痕、纳米划痕、纳米摩擦磨损、高分辨原位扫描探针显微镜成像、动态纳米压痕和高速机械性能成像。这些测试功能有助于全面理解材料纳米尺度下的行为。 简易高速的自动化 海思创TI 980提供了高通量表征所需的**、多样品和多技术自动测试能力。它可以按照设定时间间隔自动验证针尖形状,还可以实现多尺度下的高分辨成像和全样品光学扫描。 不会过时的表征潜力 鉴于将来会出现不同与今日的表征需求,TI 980纳米压痕仪被设计为具有较好的灵活性。TI 980支持大量集成和具有相关性的纳米力学表征技术,使您时刻保持在材料研发*。集成多种系统控制模块和数据分析软件、通用样品固定选项(机械、磁性和真空)和模块化环境腔,TI 980也适用于您将来的表征需求。...
上海银雀电子科技发展有限公司
2022-05-01
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